• 高性能 DRAM（动态随机存储器），包括 RDRAM（Rambus DRAM）和 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存储器）
• flash （闪存 )
• SRAM（静态随机存储器）
• DSPs（数字信号处理器）
• ASICs（专用集成电路）

在 µBGA® CSP 面朝下的结构中，硅晶片的前端面朝印刷电路板 (PCB)，从而保证了晶片和 PCB 或模块之间的较短路径。此设计可提供高性能 DRAM 所能实现的性能水平。作为真正的 CSP，Tessera 的 µBGA® 封装系列仅比晶片略大，可显著节约 PCB 空间，使得无线和便携式设备原始设备制造商所要求的更小的 DSP, flash （闪存 )和其他方案成为可能。通过容量扩充和对制造元件、工艺和设备的改进，Tessera 及其基础设施供应商使 µBGA® 成为一种低成本的封装解决方案。

如果你希望了解我们的 µBGA® 技术，请发电子邮件到 info@tessera.com。