• 半导体晶片到封装基底
• 半导体封装到印刷电路板 (PCB)
• 封装基底内层之间和 PCB
• PCB 到 PCB

µPILR™ 封装堆叠
µPILR 技术使用短型针状触点替代目前在芯片级、多芯片和堆叠封装中使用的焊球。µPILR 触点带来的主要优势有：栅距减小、厚度缩小、性能和可靠性提高，而这些是在超小形状因子中获得更高级别功能的关键因素。与焊球相比，µPILR 插针的直径和高度最多减少 50%。减小的形状因子在多种封装应用中具有明显优势，例如

• NAND 闪存堆叠
• 高密度 DRAM 堆叠
• 移动存储器（例如闪存/SRAM）
• Logic + 存储器堆叠

技术特点和优势：

• 非常薄的封装
• 非常精细的栅距
• 可靠性增强
• 封装可在堆叠前单独测试
• 高度共面的触点阵列（触点一般为镀有镍/金的铜触点）
• 制造时使用传统材料和组装工艺
• 相同封装面积下功能性更强
• 可提供高性能的短连接
• 触点间高密度布线

高级 µPILR™ 技术与现有互连技术相比在厚度、栅距、性能和可靠性方面带来了巨大的进步。