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µPILR™ 封裝堆疊
µPILR 技術使用薄斷面針狀觸點以取代目前在晶片級、多晶片和封裝級封裝中使用的錫球。µPILR 觸點帶來的主要優勢有：更小的間距、更薄的斷面、改善的性能和更高的可靠性，而這些是獲得更高級別之超小型外形的關鍵因素。與錫球相比，µPILR 插針的直徑與高度最多都減少 50%。減小的外形在許多封裝應用中具有明顯優勢，例如

• 非揮發性快閃記憶體
• 高密度 DRAM 堆疊
• 行動記憶體（例如快閃記憶體/SRAM）
• Logic + 記憶體堆疊

技術特點和優勢

• 非常低的矮板封裝
• 非常精細的間距
• 可靠性增強
• 封裝可在堆疊前單獨測試
• 高共面接觸點陣列（觸點一般為鍍有鎳/金的銅觸點）
• 製造時使用傳統材料和組裝處理製程
• 相同封裝機體中的功能提高
• 用於高效能的短連接
• 觸點間高密度佈線

高級 µPILR™ 技術與現有互連技術相較可在矮板、間距、效能及可靠性方面帶來大幅進展。