µBGA® CSPの概要
Tesseraの µBGA® CSPには、リードボンディング µBGA® パッケージおよび設計上の柔軟性が高く、組立工程の手順の少ないワイヤーボンディングパッケージの µBGA®-Wがあります。これらを組み合わせると、下記の製品をOEM供給するチップ製造企業が求めるパフォーマンス、サイズおよび信頼性の要件を満たすことができます。
- RDRAM（Rambus DRAM）およびDDR SDRAM（ダブルデータレート同期型DRAM）などの高性能DRAM （ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）
- フラッシュ・メモリ
- SRAM （スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）
- DSP （デジタル・シグナル・プロセッサ）
- ASIC （特定用途向け集積回路）
シリコン・チップの表側がプリント基板（PCB）に面する µBGA® CSPのフェースダウン（うつぶせ）構造により、チップとPCBまたはモジュールとの間の電気回路を確実に短くすることができます。この設計によって、高性能DRAM開発が目指す種類のパフォーマンスをパッケージが実現できるようになります。真のCSPであるTesseraの µBGA® 群のパッケージは、チップよりわずかに大きいだけであるため、PCBが占めるスペースを縮小でき、その結果、ワイヤレスおよび携帯機器のOEMによって求められる、より小さなDSP、フラッシュメモリおよびその他のソリューションが実現可能になります。製造量の拡大と製造コンポーネント、プロセスおよび装置の改良を通じて、Tesseraとインフラ供給企業は、 µBGA® を費用効率の高いパッケージ・ソリューションに育て上げました。
弊社の µBGA® 技術に関心をお持ちの場合は、info@tessera.comまでお問い合わせください。 |
